RomânăСотрудники нашего факультета В. П. Сиркели, С. И. Карагачиан, Ю. Б. Борис и Д. Л. Ника опубликовали новое исследование в международном журнале Physics of the Solid State, посвящённое повышению эффективности красных светодиодов на основе InGaN.
В этой работе исследователи теоретически изучили, как промежуточные слои из InAlGaN влияют на работу светодиодов. Результаты показали, что введение таких слоёв с оптимальным химическим составом и оптимальной толщины значительно улучшает эффективность и стабильность InGaN красных светодиодов. Лучший результат был достигнут в случае промежуточного слоя In0.08Al0.35Ga0.57N, который обеспечил излучение на длине волны 632 нм, внутреннюю квантовую эффективность 0,67, внешнюю квантовую эффективность 33,5% и электрооптическую эффективность в 21,2%.
Полученные результаты открывают новые возможности для улучшения красных светодиодов, которые являются ключевыми компонентами в современных оптоэлектронных устройствах.
Текст статьи доступен в журнале Physics of the Solid State: