РусскийCercetătorii V. P. Sirkeli, S. I. Caragacian, Iu. B. Boris și D. L. Nika au publicat un nou articol în revista internațională Physics of the Solid State:
V.P. Sirkeli, S.I. Caragacian, I.B. Boris and D.L. Nika. Effect of InAlGaN Interlayers on the Efficiency of InGaN-Based Red Light-Emitting Diodes. Physics of the Solid State 67, 655–663 (2025): https://link.springer.com/article/10.1134/S1063783425602188
Studiul prezintă o analiză numerică a modului în care interstraturile InAlGaN influențează performanța LED-urilor roșii pe bază de InGaN. Autorii arată că introducerea unor astfel de interstraturi îmbunătățește semnificativ eficiența și stabilitatea funcțională a dispozitivelor. Dintre structurile analizate, LED-ul cu un interstrat parțial relaxat de compoziție In₀.₀₈Al₀.₃₅Ga₀.₅₇N a obținut cele mai bune rezultate, emițând la 632 nm, cu o eficiență cuantică internă de 0,67, o eficiență cuantică externă de 33,5% și o eficiență “wall-plug” de 21,2%.
Rezultatele contribuie la dezvoltarea unor LED-uri roșii mai eficiente, esențiale pentru aplicații optoelectronice avansate.